蓉矽半导体成立于2019年12月，拥有IATF 16949体系认证的完整供应链和极富经验的国际化团队。2022年6月底，蓉矽半导体发布了其自主开发的超额定电流12倍正向浪涌的碳化硅NovuSiC® EJBS™和175˚C高结温、nA级漏电的理想硅基MCR®二极管系列产品。

其中，NovuSiC®EJBS™在20A时，VF为1.37V，漏电小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的电流，为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案；MCR®产品具有高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V~600V应用，在储能电源和LED照明等工业级领域助力提升产品性能、降低功耗。